東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET “SSM6N813R”，該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用，包括LED前照燈驅(qū)動(dòng)器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動(dòng)。
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100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用于需要多個(gè)LED的前照燈應(yīng)用，高靜電放電抗擾度為這一能力提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造，使用 TSOP6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導(dǎo)通電阻。此外，TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。
應(yīng)用場(chǎng)合
汽車LED前照燈驅(qū)動(dòng)器
特點(diǎn)
小型封裝
高效靜電放電保護(hù)
低RDS(ON)
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主要規(guī)格
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(@Ta=25℃)
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項(xiàng)目
(Ta=25℃) |
SSM6N813R
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絕對(duì)最大額定值
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漏源極電壓
VDSS (V) |
100
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柵源極電壓
VGSS (V) |
+/-20
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漏極電流
ID (A) |
3.5
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電氣特性
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漏源極導(dǎo)通電阻
RDS(ON)最大值 (mΩ) |
VGS=10V
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112
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VGS=4.5V
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154
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輸入電容
Ciss典型值(pF) |
242
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封裝
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TSOP6F
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2.9mm×2.8mm；t=0.8mm
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東芝：搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET “SSM6N813R”，該產(chǎn)品適用于汽車應(yīng)用，包括LED前照燈驅(qū)動(dòng)器IC。
東芝：雙MOSFET“SSM6N813R”標(biāo)記電路和等效電路
