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東芝電子元件及存儲裝置株式會社面向繼電器驅動器推出小型雙MOSFET

發(fā)布日期:2018-01-31  華人噴碼網(wǎng)  來源:美國商業(yè)資訊
核心提示東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布推出一款新的MOSFETSSM6N357R,該產品在漏極和柵極端子之間設計有內置二極管。該器件適用于驅動機械繼電器等電感負載。批量發(fā)貨即日啟動。此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞
東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”,該產品在漏極和柵極端子之間設計有內置二極管。該器件適用于驅動機械繼電器等電感負載。批量發(fā)貨即日啟動。
此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網(wǎng)址查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
SSM6N357R集成有下拉電阻器、串聯(lián)電阻器和穩(wěn)壓二極管,有助于減少零部件數(shù)量并節(jié)省電路板空間。此外,由于該產品采用雙列直插式封裝(二合一),與采用兩個SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)單列直插式封裝產品的替代方案相比,其安裝面積減小42%。
SSM6N357R采用行業(yè)標準的TSOP6F級封裝,具備3.0V的低工作電壓并且通過了AEC-Q101認證,因此適合于汽車和許多其他應用。
應用場合
  • 汽車應用的繼電器和螺線管控制
  • 工業(yè)應用的繼電器和螺線管控制
  • 辦公設備離合器控制
特點
  • 節(jié)省電路板空間且元器件數(shù)量減少(實現(xiàn)了下拉電阻器、串聯(lián)電阻器和穩(wěn)壓二極管的集成。)
  • 3.0V的低工作電壓
  • 雙列直插式封裝(二合一)
  • 通過AEC-Q101認證
 
主要規(guī)格
 (@Ta=25°C)
項目
 
特性
絕對最大額定值
 
漏源極電壓
VDSS (V)
 
60
 
柵源極電壓
VGSS (V)
 
±12
 
漏極電流
ID (A)
 
0.65
電氣特性
 
漏源極導通電阻
RDS(ON)最大值(m?)
 
|VGS|=3.0V
 
2400
   
|VGS|=5.0V
 
1800
 
柵極總電荷
Qg典型值(nC)
 
1.5
 
輸入電容
Ciss典型值(pF)
 
43
封裝
 
TSOP6F
 
2.9mm×2.8mm;t=0.8mm
 
有關東芝電子元件及存儲裝置株式會社最新小型低導通電阻MOSFET的更多信息,請訪問如下鏈接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
客戶垂詢:
小型信號器件銷售與營銷部
電話:+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社集新公司的活力與集團的經(jīng)驗智慧于一體。自2017年7月從東芝公司完成拆分以來,我們已躋身領先的通用設備公司之列并為客戶和商業(yè)合作伙伴提供卓越的離散半導體、系統(tǒng)LSI和HDD解決方案。
公司遍布全球的1.9萬名員工同心一致,竭力實現(xiàn)公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創(chuàng)造。我們期望基于目前超過7000億日元(60億美元)的年度銷售額,致力于為全球人類創(chuàng)造更加美好的未來。
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原文版本可在businesswire.com上查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
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聯(lián)系方式:
媒體垂詢:
東芝電子元件及存儲裝置株式會社
Chiaki Nagasawa,+81-3-3457-4963
數(shù)字營銷部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
東芝電子元件及存儲裝置株式會社:“SSM6N357R”,面向繼電器驅動器的小型雙MOSFET。(照片:美國商業(yè)資訊)
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社:等效電路(圖示:美國商業(yè)資訊)
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