10月27日消息，創(chuàng)合鑫材基金完成對安徽格恩半導(dǎo)體有限公司的獨(dú)家投資。格恩半導(dǎo)體主營高端化合物半導(dǎo)體外延材料、芯片及器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已具備大功率半導(dǎo)體激光器、紫外LED、高功率LED批量生產(chǎn)能力，多款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代，是國內(nèi)唯一量產(chǎn)氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體激光器芯片的企業(yè)。

GaN基半導(dǎo)體藍(lán)綠光激光芯片市場長期被日本及德國企業(yè)壟斷，外企占據(jù)了激光照明、激光顯示、汽車大燈和激光工業(yè)焊接的大部分市場，相關(guān)技術(shù)、工藝處于保密狀態(tài)，下游國產(chǎn)廠商發(fā)展受制于相關(guān)芯片及器件的價(jià)格及供應(yīng)量，急需國產(chǎn)供應(yīng)商提供替代產(chǎn)品。目前，格恩半導(dǎo)體是國內(nèi)兼具技術(shù)和量產(chǎn)能力的廠商，擁有藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光器及高功率LED生產(chǎn)線，也是全球少數(shù)在該領(lǐng)域擁有外延生長、芯片研制以及器件封裝產(chǎn)能的企業(yè)。

格恩半導(dǎo)體由國內(nèi)外化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)軍人才聯(lián)合創(chuàng)立。核心團(tuán)隊(duì)成員都具有十年以上豐富的化合物半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，主要技術(shù)骨干包括留學(xué)歸國人員及來自中國科學(xué)院各院所、清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)等重點(diǎn)院校和國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭部企業(yè)的專家。

團(tuán)隊(duì)?wèi){借在化合物半導(dǎo)體，尤其是GaN材料領(lǐng)域多年的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，攻克了一系列技術(shù)難點(diǎn)，包括設(shè)計(jì)非對稱壘結(jié)構(gòu)，通過參數(shù)控制、機(jī)臺預(yù)處理、特殊摻雜改善銦析出、控制缺陷密度、芯片倒裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、改善腔面制作技術(shù)、芯片級共晶焊接等，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)綠光激光芯片的量產(chǎn)。

國投創(chuàng)合表示，第三代半導(dǎo)體材料是我國重點(diǎn)發(fā)展的新材料領(lǐng)域，也是國投創(chuàng)合重點(diǎn)布局的領(lǐng)域之一。除熱導(dǎo)率外，第三代半導(dǎo)體材料GaN的其他關(guān)鍵參數(shù)在眾多半導(dǎo)體材料中最優(yōu)。因此，GaN應(yīng)用廣泛，主要包括光電芯片（LED芯片、激光芯片）、功率芯片和射頻芯片等。目前，國內(nèi)普通LED芯片已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代，但大功率LED芯片、激光芯片、功率芯片和射頻芯片仍亟待加強(qiáng)自主研發(fā)。

從產(chǎn)業(yè)鏈看，GaN產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底、外延、芯片和器件等環(huán)節(jié)。因下游應(yīng)用類別多，需針對不同應(yīng)用制作不同的外延層、設(shè)計(jì)并制造不同的芯片結(jié)構(gòu)，外延層金屬材料的添加、析出控制及芯片垂直結(jié)構(gòu)制造具有較高技術(shù)門檻，外延和芯片密不可分。故主流產(chǎn)業(yè)分工方式是襯底企業(yè)專攻襯底生長，外延與芯片設(shè)計(jì)制造及封裝在同一企業(yè)內(nèi)完成。

國投創(chuàng)合重點(diǎn)關(guān)注掌握可量產(chǎn)襯底生長技術(shù)或同時(shí)掌握外延及芯片設(shè)計(jì)制造技術(shù)的IDM企業(yè)。格恩半導(dǎo)體不僅瞄準(zhǔn)亟待國產(chǎn)化替代的激光芯片和大功率LED芯片，并布局了功率芯片和射頻芯片，還同時(shí)掌握外延及芯片設(shè)計(jì)等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵技術(shù)，具有較深的“護(hù)城河”。

未來，國投創(chuàng)合將發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈及平臺資源優(yōu)勢，協(xié)助格恩半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)，助力其成為國內(nèi)GaN領(lǐng)域龍頭企業(yè)。